NCE新洁能 MOSFET系列
通过采用最先进的沟槽栅工艺技术和电流通路布局结构，新洁能MOSFET实现了功率密度最大化，从而大幅度降低电流传导过程中的导通损耗。同时，电流在芯片元胞当中的流通会更加均匀稳定；应对于高频率的开关应用，我们为设计师们提供低开关损耗的系列产品（产品名称后加标C），其有效降低了栅极电荷（Qg），尤其是栅极漏极间的电荷（Qgd），从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。通过采用这些先进的技术手段，MOSFET的FOM（品质因子（Qg*Rdson））得以实现行业内的领先水平。
应对于半桥/全桥、AC/DC电源的同步整流以及其它需要反向续流的应用终端，我们的MOSFET着重优化了Body Diode，在提高和加快反向续流能力的同时，降低反向恢复过程中的峰值电流（Irm）和电压（Vrm）。
新洁能结合最先进的封装技术将MOSFET功率、电流和可靠性提升至新的高度，我们推出TO-220H封装外形（产品名称后加标H），有效地增加了用户在电路板装配MOSFET的工作效率，并降低了成本。
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